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SPU03N60C3

SPU03N60C3

SPU03N60C3

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

compliant

SPU03N60C3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 135µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

MTP10N40E
MTP10N40E
$0 $/pedaço
FQI17P06TU
FQI17P06TU
$0 $/pedaço
2SK536-TB-E
2SK536-TB-E
$0 $/pedaço
FDB10AN06A0
FDB10AN06A0
$0 $/pedaço
IRF1010NSTRL
PHP21N06LT,127
PHP21N06LT,127
$0 $/pedaço
IRL520L
IRL520L
$0 $/pedaço
IRF640STRR
IRF640STRR
$0 $/pedaço
NVTFS5826NLTWG
NVTFS5826NLTWG
$0 $/pedaço
IRFSL4510PBF

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