Welcome to ichome.com!
| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 3.2A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 3.9V @ 135µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 17 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 400 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 38W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | PG-TO263-3-2 |
| pacote / caixa | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.