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IRFR18N15DPBF-INF

IRFR18N15DPBF-INF

IRFR18N15DPBF-INF

HEXFET SMPS POWER MOSFET

compliant

IRFR18N15DPBF-INF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 43 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D-Pak
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI8415DB-T1-E1
SI8415DB-T1-E1
$0 $/pedaço
IRFI9Z14G
IRFI9Z14G
$0 $/pedaço
IRF6612TR1PBF
IPW90R800C3FKSA1
IXFN64N50PD3
IXFN64N50PD3
$0 $/pedaço
SIR406DP-T1-GE3
IXFK44N50Q
IXFK44N50Q
$0 $/pedaço
SUP28N15-52-E3
SUP28N15-52-E3
$0 $/pedaço

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