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IRFH5210TR2PBF

IRFH5210TR2PBF

IRFH5210TR2PBF

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

não conforme

IRFH5210TR2PBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta), 55A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 14.9mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2570 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

HUFA76645S3S
NTD2955PT4G
NTD2955PT4G
$0 $/pedaço
BSS214NW L6327
SI5443DC-T1-E3
SI5443DC-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFR214TRR
IRFR214TRR
$0 $/pedaço
AUIRFZ44N
AUIRFZ44N
$0 $/pedaço
SN7002W L6327
IRFSL59N10D
PHP54N06T,127
PHP54N06T,127
$0 $/pedaço

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