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IRF6607

IRF6607

IRF6607

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

IRF6607 Ficha de dados

compliant

IRF6607 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Ta), 94A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 7V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6930 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DIRECTFET™ MT
pacote / caixa DirectFET™ Isometric MT
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Número da peça relacionada

NDT455N
NDT455N
$0 $/pedaço
IRL3715STRR
IRFR110TRL
IRFR110TRL
$0 $/pedaço
SI7454CDP-T1-GE3
SI3134K-TP
SI3134K-TP
$0 $/pedaço
2N7000,126
2N7000,126
$0 $/pedaço
SIE816DF-T1-E3
SIE816DF-T1-E3
$0 $/pedaço
SI7344DP-T1-E3
SI7344DP-T1-E3
$0 $/pedaço

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