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IPW60R099CP

IPW60R099CP

IPW60R099CP

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1

compliant

IPW60R099CP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 31A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 1.2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 255W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-3
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SUM50P10-42-E3
SUM50P10-42-E3
$0 $/pedaço
IRFS5620TRLPBF
STB11NM60FDT4
SFI9630TU
SPP100N03S203
IRF6641TR1PBF
ZVN4106FTC
ZVN4106FTC
$0 $/pedaço
HUF75229P3_NL

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