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IPW60R037CSFDXKSA1

IPW60R037CSFDXKSA1

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFET N CH

não conforme

IPW60R037CSFDXKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
240 $10.64667 $2555.2008
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 54A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 37mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 1.63mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 136 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5623 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 245W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-3
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

NTB6413ANG
NTB6413ANG
$0 $/pedaço
IXFT180N20X3HV
IXFT180N20X3HV
$0 $/pedaço
NDF04N60ZH
NDF04N60ZH
$0 $/pedaço
FDD6680
FDD6680
$0 $/pedaço
DMG3418L-13
DMG3418L-13
$0 $/pedaço
DMP3018SSS-13
IPI100N04S3-03
PMFPB8040XP,115
PMFPB8040XP,115
$0 $/pedaço

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