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IPW50R299CP

IPW50R299CP

IPW50R299CP

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IPW50R299CP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.25000 $1.25
500 $1.2375 $618.75
1000 $1.225 $1225
1500 $1.2125 $1818.75
2000 $1.2 $2400
2500 $1.1875 $2968.75
9838 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 440µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1190 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-3
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

NVTR4503NT1G
NVTR4503NT1G
$0 $/pedaço
STP80NF55-08
STP80NF55-08
$0 $/pedaço
PSMN039-100YS,115
PSMN011-60MSX
PSMN011-60MSX
$0 $/pedaço
R6007ENX
R6007ENX
$0 $/pedaço
PMV52ENEAR
PMV52ENEAR
$0 $/pedaço

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