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IPU78CN10N G

IPU78CN10N G

IPU78CN10N G

MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3

compliant

IPU78CN10N G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 78mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 12µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 716 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

ATP212-TL-H
ATP212-TL-H
$0 $/pedaço
SI8435DB-T1-E1
SI8435DB-T1-E1
$0 $/pedaço
FCH041N65EFLN4
FCH041N65EFLN4
$0 $/pedaço
IPP085N06LGIN
IRF3711LPBF
IRF7807VTRPBF
STB70NH03LT4
STB70NH03LT4
$0 $/pedaço
NVTFS5826NLTAG
NVTFS5826NLTAG
$0 $/pedaço
HUF75542P3_NL

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