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IPT063N15N5ATMA1

IPT063N15N5ATMA1

IPT063N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

compliant

IPT063N15N5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.64000 $6.64
500 $6.5736 $3286.8
1000 $6.5072 $6507.2
1500 $6.4408 $9661.2
2000 $6.3744 $12748.8
2500 $6.308 $15770
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16.2A (Ta), 122A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.6V @ 153µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4550 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-HSOF-8
pacote / caixa 8-PowerSFN
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Número da peça relacionada

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