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IPT026N10N5ATMA1

IPT026N10N5ATMA1

IPT026N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF

compliant

IPT026N10N5ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.26000 $6.26
500 $6.1974 $3098.7
1000 $6.1348 $6134.8
1500 $6.0722 $9108.3
2000 $6.0096 $12019.2
2500 $5.947 $14867.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Ta), 202A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.6mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 158µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8800 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-HSOF-8-1
pacote / caixa 8-PowerSFN
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Número da peça relacionada

AUIRFR2407TRL
STW23N85K5
STW23N85K5
$0 $/pedaço
IXFH26N50P
IXFH26N50P
$0 $/pedaço
PMV37ENER
PMV37ENER
$0 $/pedaço
R6020FNJTL
R6020FNJTL
$0 $/pedaço
IRFR3707ZTRPBF
STI55NF03L
STI55NF03L
$0 $/pedaço
SIDR622DP-T1-GE3
HUFA76407D3

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