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IPS80R900P7AKMA1

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IPS80R900P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3

não conforme

IPS80R900P7AKMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.51000 $1.51
10 $1.34600 $13.46
100 $1.07870 $107.87
500 $0.85250 $426.25
1,000 $0.68798 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 900mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 110µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 500 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

NTF3055L108T1G
NTF3055L108T1G
$0 $/pedaço
IXTA42N25P-TRL
IXTA42N25P-TRL
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IXFK26N120P
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IRFP141
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$0 $/pedaço
FQB11N40CTM
FQB11N40CTM
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APL602LG
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