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IPS80R1K2P7AKMA1

IPS80R1K2P7AKMA1

IPS80R1K2P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

não conforme

IPS80R1K2P7AKMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.22000 $1.22
10 $1.08000 $10.8
100 $0.85380 $85.38
500 $0.66212 $331.06
1,000 $0.52272 -
19490 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 80µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 300 pF @ 500 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3-342
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

IPW60R099C7XKSA1
IXTH4N150
IXTH4N150
$0 $/pedaço
IRFS3207ZTRRPBF
STF18N60DM2
STF18N60DM2
$0 $/pedaço
STW68N65DM6-4AG
FQPF3N60
NVMFS5C628NLWFAFT1G
NVMFS5C628NLWFAFT1G
$0 $/pedaço
NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G
$0 $/pedaço

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