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IPS118N10N G

IPS118N10N G

IPS118N10N G

MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3

compliant

IPS118N10N G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 83µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4320 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3-11
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

IRFR224BTM_TC002
IRFR224BTM_TC002
$0 $/pedaço
IXTV102N25T
IXTV102N25T
$0 $/pedaço
IRF520NLPBF
SI2303BDS-T1-E3
RSD050N06TL
RSD050N06TL
$0 $/pedaço
IRFH7885TRPBF
BUK9225-55A,118
NTTFS4H05NTAG
NTTFS4H05NTAG
$0 $/pedaço

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