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IPP80N06S4L07AKSA1

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IPP80N06S4L07AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

não conforme

IPP80N06S4L07AKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.47775 -
4526 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5680 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 79W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3-1
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NVTR01P02LT1G
NVTR01P02LT1G
$0 $/pedaço
NTMFS6H800NLT1G
NTMFS6H800NLT1G
$0 $/pedaço
IPI60R099CPXKSA1
FQPF10N20
STW10N95K5
STW10N95K5
$0 $/pedaço
IRF9Z34PBF-BE3
IRF9Z34PBF-BE3
$0 $/pedaço
IXTA10P15T
IXTA10P15T
$0 $/pedaço
CPH6603-TL-E
CPH6603-TL-E
$0 $/pedaço
IXTH22N50P
IXTH22N50P
$0 $/pedaço
HUFA75329D3

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