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IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

IPP80N06S2L-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

compliant

IPP80N06S2L-07 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 150µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3160 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 210W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3-1
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STV160NF02LAT4
NTD24N06T4G
NTD24N06T4G
$0 $/pedaço
STI21NM60ND
STI21NM60ND
$0 $/pedaço
SIS334DN-T1-GE3
FQI9N08LTU
FQI9N08LTU
$0 $/pedaço
SPB80N03S2L-05 G
STB141NF55-1
STB141NF55-1
$0 $/pedaço
IXFT60N25Q
IXFT60N25Q
$0 $/pedaço
RFP8P05
RFP8P05
$0 $/pedaço
FDMC6675BZ-T
FDMC6675BZ-T
$0 $/pedaço

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