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IPP230N06L3 G

IPP230N06L3 G

IPP230N06L3 G

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

compliant

IPP230N06L3 G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 11µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 36W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

BUK78150-55A,115
BUK78150-55A,115
$0 $/pedaço
FQH70N10
FQH70N10
$0 $/pedaço
IRF6617TR1PBF
IRF6646TR1PBF
STS9NF30L
STS9NF30L
$0 $/pedaço
BUK9222-55A/C1,118
BUK9222-55A/C1,118
$0 $/pedaço
FQPF16N15
FQPF16N15
$0 $/pedaço
FDR858P
FDR858P
$0 $/pedaço
SI2321DS-T1-GE3

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