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IPN70R1K4P7SATMA1

IPN70R1K4P7SATMA1

IPN70R1K4P7SATMA1

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

não conforme

IPN70R1K4P7SATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.24862 -
6,000 $0.23419 -
15,000 $0.21976 -
30,000 $0.20966 -
2995 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 700 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 158 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.2W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-SOT223
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

ZXMP10A17KTC
IXFH100N25P
IXFH100N25P
$0 $/pedaço
NTA4151PT1G
NTA4151PT1G
$0 $/pedaço
FQL50N40
IPA60R400CEXKSA1
IRF730STRLPBF
IRF730STRLPBF
$0 $/pedaço
NTD4969N-35G
NTD4969N-35G
$0 $/pedaço
PSMN7R0-30YLC,115
BSP89H6327XTSA1

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