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IPI80N04S2H4AKSA1

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MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

compliant

IPI80N04S2H4AKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 148 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IRFZ44VS
IRFZ44VS
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IRL1104STRR
PH955L,115
PH955L,115
$0 $/pedaço
STW220NF75
STW220NF75
$0 $/pedaço
STP16NK60Z
STP16NK60Z
$0 $/pedaço
IRF630BTSTU_FP001
IRF630BTSTU_FP001
$0 $/pedaço
CPH3459-TL-W
CPH3459-TL-W
$0 $/pedaço

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