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IPI65R280E6XKSA1

IPI65R280E6XKSA1

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MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3

compliant

IPI65R280E6XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $1.64954 $824.77
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 440µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 950 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3-1
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

HUFA75337P3
HUFA75337P3
$0 $/pedaço
SPI80N10L
SPI80N10L
$0 $/pedaço
IRF7809PBF
IRF1010NL
IRF1010NL
$0 $/pedaço
IXFV18N90P
IXFV18N90P
$0 $/pedaço
FQAF17N40
FQAF17N40
$0 $/pedaço
SPPO4N80C3
MTP23P06V
MTP23P06V
$0 $/pedaço
SIS478DN-T1-GE3
BS107PSTOB
BS107PSTOB
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