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IPI50CN10NGHKSA1

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IPI50CN10NGHKSA1

MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3

compliant

IPI50CN10NGHKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 20µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1090 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 44W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IPP100N06S3-04
BUK9615-100A,118
STP13NK50Z
STP13NK50Z
$0 $/pedaço
IRF7807VTR
IRF6215STRR
STULED623
STULED623
$0 $/pedaço
SUD50N025-06P-E3
IRFH4201TRPBF

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