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IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1

IPI076N12N3GAKSA1

MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

compliant

IPI076N12N3GAKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $1.84500 $922.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 130µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 101 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6640 pF @ 60 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

2SK3541T2L
2SK3541T2L
$0 $/pedaço
SPD04N50C3ATMA1
DMN90H8D5HCT
SQJ459EP-T1_BE3
STP12N60M2
STP12N60M2
$0 $/pedaço
RSJ400N06FRATL
IXFP12N50P
IXFP12N50P
$0 $/pedaço

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