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IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1

IPG20N10S4L22ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

não conforme

IPG20N10S4L22ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.77077 -
10,000 $0.75460 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 100V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A
rds em (máx.) @ id, vgs 22mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 25µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1755pF @ 25V
potência - máx. 60W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-PowerVDFN
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-4
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Número da peça relacionada

EPC2104
EPC2104
$0 $/pedaço
DMN2016LFG-7
NVMFD5C470NLWFT1G
NVMFD5C470NLWFT1G
$0 $/pedaço
ECH8661-TL-H
ECH8661-TL-H
$0 $/pedaço
QS8J2TR
QS8J2TR
$0 $/pedaço
FW907-TL-E
FW907-TL-E
$0 $/pedaço
MCH6660-TL-H
MCH6660-TL-H
$0 $/pedaço
BUK9K20-80EX
BUK9K20-80EX
$0 $/pedaço
SI1967DH-T1-BE3
NX3008NBKV,115

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