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IPG20N06S4L26AATMA1

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IPG20N06S4L26AATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

não conforme

IPG20N06S4L26AATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.42705 -
10,000 $0.41100 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 60V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A
rds em (máx.) @ id, vgs 26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 10µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1430pF @ 25V
potência - máx. 33W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount, Wettable Flank
pacote / caixa 8-PowerVDFN
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-10
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Número da peça relacionada

SI4559ADY-T1-GE3
FD6M033N06
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
$0 $/pedaço
IRFH4253DTRPBF
SQJ560EP-T1_BE3
DMN63D1LDW-7

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