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IPG20N06S2L50ATMA1

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IPG20N06S2L50ATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

não conforme

IPG20N06S2L50ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.50532 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 55V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 19µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 560pF @ 25V
potência - máx. 51W
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-PowerVDFN
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-4
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Número da peça relacionada

PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX
$0 $/pedaço
FDMD8680
FDMD8680
$0 $/pedaço
SCH2408-TL-E
SCH2408-TL-E
$0 $/pedaço
SI4559ADY-T1-E3
DMG1016UDW-7
DMP2900UDW-13
DMTH4011SPD-13

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