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IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3

compliant

IPD90R1K2C3ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.73196 -
5,000 $0.69536 -
12,500 $0.66922 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 310µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 710 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXTX22N100L
IXTX22N100L
$0 $/pedaço
APT48M80L
APT48M80L
$0 $/pedaço
CSD17381F4T
CSD17381F4T
$0 $/pedaço
SI3457CDV-T1-E3
PMPB20XNEA,115
BUK7626-100B,118
AUIRFS3107-7P
BUK763R4-30B,118
APT10050LVFRG

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