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IPD90N06S4L06ATMA2

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IPD90N06S4L06ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

não conforme

IPD90N06S4L06ATMA2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.62586 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5680 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 79W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

NTHL125N65S3H
NTHL125N65S3H
$0 $/pedaço
BSP135L6327HTSA1
SI1416EDH-T1-BE3
BUK9624-55A,118
DMN2040U-7
DMN2040U-7
$0 $/pedaço
DMPH4013SK3Q-13
NTLJS3180PZTAG
NTLJS3180PZTAG
$0 $/pedaço
IPA50R950CEXKSA2

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