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IPD80R1K4CEBTMA1

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IPD80R1K4CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

compliant

IPD80R1K4CEBTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.52788 -
5,000 $0.50464 -
12,500 $0.48804 -
25,000 $0.47476 -
62,500 $0.46148 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 240µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 570 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

PMR280UN,115
PMR280UN,115
$0 $/pedaço
FDPF79N15
FDPF79N15
$0 $/pedaço
RFP14N05
RFP14N05
$0 $/pedaço
BUK9832-55A,115
BUK9832-55A,115
$0 $/pedaço
IPP050N06N G
AUIRLR2703
IRFH7107TRPBF
RSS080N05FU6TB

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