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IPD60R600C6BTMA1

IPD60R600C6BTMA1

IPD60R600C6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

compliant

IPD60R600C6BTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.62471 -
5,000 $0.59721 -
12,500 $0.57756 -
25,000 $0.56185 -
62,500 $0.54613 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

STD60NF3LLT4
STD60NF3LLT4
$0 $/pedaço
GA100JT12-227
NVMFS5C450NLWFAFT3G
NVMFS5C450NLWFAFT3G
$0 $/pedaço
NTB75N03-6T4G
NTB75N03-6T4G
$0 $/pedaço
SUD50N06-08H-E3

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