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IPD60R380E6BTMA1

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MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

não conforme

IPD60R380E6BTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
57070 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 300µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 700 pF @ 100 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 155°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI4403CDY-T1-GE3
FQD9N25TM-F085
FQD9N25TM-F085
$0 $/pedaço
DMP4065SQ-7
DMP4065SQ-7
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CSD17578Q5AT
CSD17578Q5AT
$0 $/pedaço
STB21N65M5
STB21N65M5
$0 $/pedaço
APT84M50L
APT84M50L
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SQJ422EP-T1_GE3

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