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IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1

MOSFET N-CH 650V 10A TO252-3

compliant

IPD60R360PFD7SAUMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.61000 $1.61
500 $1.5939 $796.95
1000 $1.5778 $1577.8
1500 $1.5617 $2342.55
2000 $1.5456 $3091.2
2500 $1.5295 $3823.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 140µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 534 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 43W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-344
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRF3709ZSTRRPBF
FQD4N25TM-WS
FQD4N25TM-WS
$0 $/pedaço
FDT458P
FDT458P
$0 $/pedaço
2SK3801
2SK3801
$0 $/pedaço
NTMFS5H409NLT3G
NTMFS5H409NLT3G
$0 $/pedaço
RQ3E130MNTB1
RQ3E130MNTB1
$0 $/pedaço
SQP90P06-07L_GE3
FDMC7660DC
FDMC7660DC
$0 $/pedaço

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