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IPD60R145CFD7ATMA1

IPD60R145CFD7ATMA1

IPD60R145CFD7ATMA1

MOSFET N CH

não conforme

IPD60R145CFD7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.66241 -
9969 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 340µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1330 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK (TO-252)
pacote / caixa TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

FQP7N80
FQP7N80
$0 $/pedaço
2N7002EQ-7-F
PSMN013-30YLC,115
STL13N60M2
STL13N60M2
$0 $/pedaço
IPU50R950CEBTMA1
RM7N600IP
RM7N600IP
$0 $/pedaço
CSD19535KTT
CSD19535KTT
$0 $/pedaço
NTD20N06-001
NTD20N06-001
$0 $/pedaço
SI7370DP-T1-E3
SI7370DP-T1-E3
$0 $/pedaço

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