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IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

não conforme

IPD50N06S409ATMA2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.53068 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 34µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47.1 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3785 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 71W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SPB08N03L
SPB08N03L
$0 $/pedaço
STD16N60M2
STD16N60M2
$0 $/pedaço
SI7137DP-T1-GE3
SIHG32N50D-E3
SIHG32N50D-E3
$0 $/pedaço
NVTFS6H860NWFTAG
NVTFS6H860NWFTAG
$0 $/pedaço
SCT3030ARC14
SCT3030ARC14
$0 $/pedaço
APT10M07JVFR
BUK7Y113-100EX

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