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IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

compliant

IPD30N06S2L-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 80µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

PSMN004-55W,127
PSMN004-55W,127
$0 $/pedaço
IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2
$0 $/pedaço
NTB45N06LG
NTB45N06LG
$0 $/pedaço
IPFH6N03LA G
IRFP264
IRFP264
$0 $/pedaço
IRFU13N15D
IPP80N06S2L-06
IPP05N03LB G
IRF3711ZCSTRR

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