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IPD30N06S2-15

IPD30N06S2-15

IPD30N06S2-15

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

compliant

IPD30N06S2-15 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 80µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1485 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

RP1H065SPTR
RP1H065SPTR
$0 $/pedaço
STF25NM50N
STF25NM50N
$0 $/pedaço
FQD16N25CTM_F080
FQD16N25CTM_F080
$0 $/pedaço
IRF3709ZCL
ZXM66N03N8TA
IRFU3518-701PBF
IRFI9634G
IRFI9634G
$0 $/pedaço
STB35NF10T4
STB35NF10T4
$0 $/pedaço

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