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IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3

compliant

IPD053N06NATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.64495 -
5,000 $0.61270 -
12,500 $0.58967 -
2345 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 45A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 36µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFH5007TRPBF
SFR9220TM
STB22N60DM6
STB22N60DM6
$0 $/pedaço
SI5419DU-T1-GE3
PMV75UP,215
PMV75UP,215
$0 $/pedaço
AUIRF3315S
ISL9N304AS3ST

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