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IPD038N06N3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

compliant

IPD038N06N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.76831 -
5,000 $0.72989 -
12,500 $0.70245 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI2306BDS-T1-BE3
NTMFS4833NT3G
NTMFS4833NT3G
$0 $/pedaço
STL19N65M5
STL19N65M5
$0 $/pedaço
FCMT250N65S3
FCMT250N65S3
$0 $/pedaço
NTP2955G
NTP2955G
$0 $/pedaço
FDMS86580-F085
FDMS86580-F085
$0 $/pedaço
MSC025SMA120B
5LP01SP
5LP01SP
$0 $/pedaço
FDPF55N06
FDPF55N06
$0 $/pedaço

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