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IPC100N04S51R9ATMA1

IPC100N04S51R9ATMA1

IPC100N04S51R9ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

compliant

IPC100N04S51R9ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.52273 -
10,000 $0.50308 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.4V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3770 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-34
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

STN3NF06
STN3NF06
$0 $/pedaço
NVMYS4D1N06CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
$0 $/pedaço
DMN30H4D0L-13
FQB3N40TM
IXTT24P20
IXTT24P20
$0 $/pedaço
IXFA220N06T3
IXFA220N06T3
$0 $/pedaço
STF20N60M2-EP

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