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IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S4L07ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.47835 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5680 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 79W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STF8NM50N
STF8NM50N
$0 $/pedaço
DMP2022LSS-13
IPL65R070C7AUMA1
IPA60R380E6XKSA1
PMG85XP,115
PMG85XP,115
$0 $/pedaço
APT34F100B2
FQAF44N10
IPP60R600P7XKSA1
NTR3C21NZT1G
NTR3C21NZT1G
$0 $/pedaço
FDI9406-F085

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