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IPB80N06S2L09ATMA1

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IPB80N06S2L09ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S2L09ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.2mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 125µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2620 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

APT94N65B2C3G
STD30NE06LT4
STD30NE06LT4
$0 $/pedaço
IRFP4232PBF
NTF3055L175T3
NTF3055L175T3
$0 $/pedaço
IRFPC50
IRFPC50
$0 $/pedaço
RSD140P06TL
RSD140P06TL
$0 $/pedaço
MCU12P06-TP
MCU12P06-TP
$0 $/pedaço
STP5NK65Z
STP5NK65Z
$0 $/pedaço
BSP300H6327XUSA1

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