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IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S208ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 150µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2860 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 215W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STB76NF75
STB76NF75
$0 $/pedaço
IXFT12N100F
IXFT12N100F
$0 $/pedaço
IRLR3715
IRLR3715
$0 $/pedaço
ATP101-TL-HX
ATP101-TL-HX
$0 $/pedaço
IPD90N04S3-04
FQI13N50CTU
FQI13N50CTU
$0 $/pedaço
SFT1452-TL-H
SFT1452-TL-H
$0 $/pedaço
SPB80N03S2L-04
IRF7422D2TRPBF

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