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IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

compliant

IPB80N04S2H4ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 148 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRLI540N
IRLI540N
$0 $/pedaço
IRF7467PBF
IRLR3714ZPBF
R6035KNZ1C9
R6035KNZ1C9
$0 $/pedaço
STB70NF3LLT4
STB70NF3LLT4
$0 $/pedaço
TPIC1301DW
TPIC1301DW
$0 $/pedaço
IRFU3711ZPBF
PH6030L,115
PH6030L,115
$0 $/pedaço
SI4448DY-T1-E3
SI4448DY-T1-E3
$0 $/pedaço

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