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IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

IPB77N06S212ATMA1

MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

compliant

IPB77N06S212ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 77A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.7mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 93µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1770 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 158W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

AUIRF1324STRL7P
SI5445BDC-T1-E3
IRF740S
IRF740S
$0 $/pedaço
IPP062NE7N3G
IRFS3307PBF
STP180N55F3
STP180N55F3
$0 $/pedaço
SI4620DY-T1-E3
SI4620DY-T1-E3
$0 $/pedaço
ZVP4105ASTOB
IRL540S
IRL540S
$0 $/pedaço

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