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IPB70N04S406

IPB70N04S406

IPB70N04S406

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IPB70N04S406 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 26µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2550 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 58W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFU020
IRFU020
$0 $/pedaço
IPA50R190CE
STD70N03L
STD70N03L
$0 $/pedaço
PHD23NQ10T,118
PHD23NQ10T,118
$0 $/pedaço
FQPF6N90
FQPF6N90
$0 $/pedaço
IRF6665TR1PBF

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