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IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

compliant

IPB65R125C7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.50049 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 440µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1670 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 101W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STL12N10F7
STL12N10F7
$0 $/pedaço
IRF7526D1TRPBF
ZVP2120GTC
ZVP2120GTC
$0 $/pedaço
SPB73N03S2L-08
STB200NF04L
STB200NF04L
$0 $/pedaço
APT40M42JN
2SK3826
2SK3826
$0 $/pedaço
FDMC6688P
FDMC6688P
$0 $/pedaço

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