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IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK

compliant

IPB65R099C6ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $3.84661 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 38A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 12.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 1.2mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 127 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2780 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQPF65N06
FQPF65N06
$0 $/pedaço
PSMN3R2-30YLC,115
APT50N60JCU2
IPSH6N03LB G
SPI80N08S2-07
2N7002-13-F-79
IXFK55N50
IXFK55N50
$0 $/pedaço
IRF6810STRPBF
IRLR7811WPBF

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