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IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

compliant

IPB65R065C7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $4.64011 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 557 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 171W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF9Z24NSPBF
SI1022R-T1-E3
SI1022R-T1-E3
$0 $/pedaço
CPH3448-TL-H
CPH3448-TL-H
$0 $/pedaço
IRL540STRR
IRL540STRR
$0 $/pedaço
5HN01SS-TL-E
5HN01SS-TL-E
$0 $/pedaço
STD25P03LT4G
STD25P03LT4G
$0 $/pedaço
IPI052NE7N3 G

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