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IPB60R950C6ATMA1

IPB60R950C6ATMA1

IPB60R950C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK

compliant

IPB60R950C6ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 130µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 280 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF6626TR1PBF
SI5913DC-T1-GE3
IXFK48N55
IXFK48N55
$0 $/pedaço
IPW90R500C3FKSA1
STY130NF20D
STY130NF20D
$0 $/pedaço
SI7447ADP-T1-GE3
NVATS5A304PLZT4G
NVATS5A304PLZT4G
$0 $/pedaço
MCT06P10-TP
MCT06P10-TP
$0 $/pedaço
NTF3055L108T3LF
NTF3055L108T3LF
$0 $/pedaço
PSMN003-30B,118
PSMN003-30B,118
$0 $/pedaço

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