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IPB60R360P7ATMA1

IPB60R360P7ATMA1

IPB60R360P7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK

não conforme

IPB60R360P7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.83562 -
2,000 $0.77799 -
5,000 $0.74918 -
10,000 $0.73346 -
7 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 140µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 555 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 41W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMPH4025SFVWQ-7
RSH070N05TB1
RSH070N05TB1
$0 $/pedaço
IXTA120N075T2
IXTA120N075T2
$0 $/pedaço
IXTP32N65XM
IXTP32N65XM
$0 $/pedaço
DMN2025UFDF-13
BUK9C10-55BIT/A,11
BUK9C10-55BIT/A,11
$0 $/pedaço
IPA90R800C3XKSA2

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