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IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

compliant

IPB180P04P403ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.52386 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 410µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 17640 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

IPN50R950CEATMA1
MSC180SMA120S
R6012JNJGTL
R6012JNJGTL
$0 $/pedaço
R6020KNJTL
R6020KNJTL
$0 $/pedaço
CSD16401Q5T
CSD16401Q5T
$0 $/pedaço
R6014YNXC7G
R6014YNXC7G
$0 $/pedaço
IXFN70N100X
IXFN70N100X
$0 $/pedaço
FQU11P06TU
FQU11P06TU
$0 $/pedaço
SQM60N20-35_GE3

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